近年來(lái)，電(diàn)子技(jì)術(shù)的發展，使得(de)電(diàn)路的工作(zuò)電(diàn)壓越來(lái)越低(dī)、電(diàn)流越來(lái)越大(dà)。低(dī)電(diàn)壓工作(zuò)有(yǒu)利于降低(dī)電(diàn)路的整體(tǐ)功率消耗，但(dàn)也給電(diàn)源設計(jì)提出了新的難題。開(kāi)關電(diàn)源的損耗主要由3部分組成：功率開(kāi)關管的損耗，高(gāo)頻變壓器(qì)的損耗，輸出端整流管的損耗。在低(dī)電(diàn)壓、大(dà)電(diàn)流輸出的情況下，整流二極管的導通(tōng)壓降較高(gāo)，輸出端整流管的損耗尤為(wèi)突出。

快恢複二極管(FRD)或超快恢複二極管(SRD)可(kě)達1.0～1.2V，即使采用低(dī)壓降的肖特基二極管(SBD)，也會(huì)産生(shēng)大(dà)約0.6V的壓降，這就導緻整流損耗增大(dà)，電(diàn)源效率降低(dī)。 舉例說明(míng)，目前筆記本電(diàn)腦(nǎo)普遍采用3.3V甚至1.8V或1.5V的供電(diàn)電(diàn)壓，所消耗的電(diàn)流可(kě)達20A。此時(shí)超快恢複二極管的整流損耗已接近甚至超過電(diàn)源輸出功率的50%。即使采用肖特基二極管，整流管上(shàng)的損耗也會(huì)達到(18%～40%)PO，占電(diàn)源總損耗的60%以上(shàng)。因此，傳統的二極管整流電(diàn)路已無法滿足實現低(dī)電(diàn)壓、大(dà)電(diàn)流開(kāi)關電(diàn)源高(gāo)效率及小(xiǎo)體(tǐ)積的需要，成為(wèi)制(zhì)約DC/DC變換器(qì)提高(gāo)效率的瓶頸。