半導體(tǐ)的特性
鍺、矽、硒、砷化镓及許多(duō)金屬氧化物和(hé)金屬硫化物等物體(tǐ)，它們的導電(diàn)能力介于導體(tǐ)和(hé)絕緣體(tǐ)之間(jiān)，叫做(zuò)半導體(tǐ)。
半導體(tǐ)具有(yǒu)一些(xiē)特殊性質。如利用半導體(tǐ)的電(diàn)阻率與溫度的關系可(kě)制(zhì)成自動控制(zhì)用的熱敏元件（熱敏電(diàn)阻）；利用它的光敏特性可(kě)制(zhì)成自動控制(zhì)用的光敏元件，像光電(diàn)池、光電(diàn)管和(hé)光敏電(diàn)阻等。
半導體(tǐ)還(hái)有(yǒu)一個(gè)最重要的性質，如果在純淨的半導體(tǐ)物質中适當地摻入微量雜質測其導電(diàn)能力将會(huì)成百萬倍地增加。利用這一特性可(kě)制(zhì)造各種不同用途的半導體(tǐ)器(qì)件，如半導體(tǐ)二極管、三極管等。
把一塊半導體(tǐ)的一邊制(zhì)成P型區(qū)，另一邊制(zhì)成N型區(qū)，則在交界處附近形成一個(gè)具有(yǒu)特殊性能的薄層，一般稱此薄層為(wèi)PN結。圖中上(shàng)部分為(wèi)P型半導體(tǐ)和(hé)N型半導體(tǐ)界面兩邊載流子的擴散作(zuò)用（用黑(hēi)色箭頭表示）。中間(jiān)部分為(wèi)PN結的形成過程，示意載流子的擴散作(zuò)用大(dà)于漂移作(zuò)用（用藍(lán)色箭頭表示，紅色箭頭表示內(nèi)建電(diàn)場(chǎng)的方向）。下邊部分為(wèi)PN結的形成。表示擴散作(zuò)用和(hé)漂移作(zuò)用的動态平衡。
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