産品特點

1. 采用雙芯片設計(jì)，高(gāo)壓開(kāi)關管采用雙極型晶體(tǐ)管設計(jì)，以降低(dī)産品成本；控制(zhì)電(diàn)路采用大(dà)規模MOS數(shù)字電(diàn)路設計(jì),并采用E極驅動方式驅動雙極型晶體(tǐ)芯片,以提高(gāo)高(gāo)壓開(kāi)關管的安全耐壓值。內(nèi)建自供電(diàn)電(diàn)路，不需要外部給芯片提供電(diàn)源，有(yǒu)效的降低(dī)外部元件的數(shù)量及成本。

2. 芯片內(nèi)集成了高(gāo)壓恒流啓動電(diàn)路，無需外部加啓動電(diàn)阻。

3. 內(nèi)置過流保護電(diàn)路，防過載保護電(diàn)路，輸出短(duǎn)路保護電(diàn)路，溫度保護電(diàn)路及光藕失效保護電(diàn)路。

4. 內(nèi)置斜坡補償電(diàn)路，保證在低(dī)電(diàn)壓及大(dà)功率輸出時(shí)的電(diàn)路穩定。

5. 內(nèi)置PWM 振蕩電(diàn)路，并設有(yǒu)抖頻功能，保證了良好的EMC 特性。

6. 內(nèi)置變頻功能，待機時(shí)自動降低(dī)工作(zuò)頻率，在滿足歐洲綠色能源标準（ < 0:3W ）同時(shí)，降低(dī)了輸出電(diàn)壓的紋波。

7. 內(nèi)置高(gāo)壓保護，當輸入母線電(diàn)壓高(gāo)于保護電(diàn)壓時(shí)，芯片将自動關閉并進行(xíng)延時(shí)重啓。

8. 內(nèi)建斜坡電(diàn)流驅動電(diàn)路，降低(dī)了芯片的功耗并提高(gāo)了電(diàn)路的效率。

9. 4KV 防靜電(diàn)ESD 測試。

功率範圍